大卫·C. 英格拉姆
![大卫·C. 英格拉姆的头像 大卫·C. 英格拉姆,肖像](/cas/sites/OHIO.edu.cas/files/styles/max_650x650/public/2019-02/INGRAM_David-491x288-crop.jpg?itok=HfiTzK2x)
教授
爱德华兹加速器实验室106,newbb电子
核能研究所 & 粒子物理
爱德华兹加速器实验室
最近的新闻
教育
Ph.D.英国索尔福德大学(1980年)
研究
固体中的原子碰撞,薄膜,沉积和分析
成员
个人概要文件
大卫·英格拉姆(David 英格拉姆)从9岁起就对电子材料和设备充满好奇, 当时他的叔叔带他和他的家人去皇家雷达机构参观, 莫尔文, 英格兰, 他叔叔从二战开始就在那里工作. 作为一名实验学家,他致力于培育新材料并研究它们的特性. 制造半导体器件的经典方法是使用离子注入. 用这种方法, 人们可以将元素周期表中任何元素的任何同位素植入基质中. 这使他进入了高能粒子与物质相互作用的研究,现在进入了低能核物理学和材料科学交叉的newbb电子核科学领域.
在闲暇时间,他钓鱼、种花、在雅典周围的山上散步.